导师信息#云南大学物理与天文学院研究生导师介绍#杨宇

18340800873

杨宇，1967年1月出生于贵州兴仁，二级教授，博士生导师，云南省中青年学术技术带头人，云南大学科学技术处处长，云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所所长。兼任中国仪器仪表功能材料学会常务理事、中国半导体专业委员会委员、云南省高等学校学术委员会委员、科技部863通讯评审专家委员会委员、云南省发明学会副会长、云南省高校科研管理学会理事长、九三学社云南大学副主任委员。任《材料导报》、《红外技术》、《功能材料》、《人工晶体学报》、《功能材料信息》等杂志编委会委员。主要从事半导体薄膜光电材料与器件研究，先后主持完成中国博士后基金、云南省自然科学基金面上与重点项目、国家自然科学基金研究项目等十余项。在国内外重要学术刊物发表论文160多篇，SCI、EI收录80余篇；获国家发明专利10项。
联系电话：65033824； 电子邮件：yuyang@ynu.edu.cn
主要研究工作经历：
2008/7 – 至今，云南大学科技处/光电信息材料研究所，处长、所长/教授
2006/12 – 2008/02，哈佛大学工程与应用科学学院应用物理，访问学者
1997/08 – 2006/11，云南大学物理系 / 材料系/化工材料学院 / 工程技术研究院，教授、系主任、副院长
1995/08 – 1997/07，中国科学院上海冶金研究所，材料科学与工程，博士后
1992/08 – 1995/07，复旦大学物理系 凝聚态物理，博士
1991/04 – 1992/07，昆明物理研究所 超导器件物理，工程师
1988/08 – 1991/03，中国科技大学、中科院等离子物理所，等离子体物理，硕士
主要研究方向：
1：薄膜光电材料
2：无机/有机界面光电材料与器件
3：量子点材料
4：半导体物理与器件
奖励及荣誉称号：
1997年 获上海市博士后论文报告优秀奖
1998年 获首届云南省青年科技奖
2001年 获“云南省中青年学术与技术带头人”称号
2001年 获第七届中国青年科技奖
2003年 获云南省科学技术奖励三等奖（自然科学类，排名第一）
2011年 获云南省科学技术奖励二等奖（自然科学类，排名第一）
2012年 获“十一五”期间全国高校科技管理先进个人
近5年代表成果（均为通讯作者的12篇代表论文及2项专利）：
[1] Yu Yang*, Jiming Bao, Cong Wang, Micheal Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by ion implantation and annealing”, J. Appl. Phys., Vol. 107, 123109-114, 2010[2] Jie Yang, Yingxia Jin, Chong Wang, Liang Li, Dongping Tao, and Yu Yang*, “Evolution of self-assembled Ge/Si island grown by ion beam sputtering deposition”, Applied Surface Science, Vol. 258, 3637-3642, 2012[3] 杨杰，王茺，靳映霞，李亮，陶东平，杨宇*，“离子束溅射Ge量子点的应变调制生长”，物理学报，第61卷， 016804，2012[4] Y. Yang*, J. M. Bao, et al, “Observation on photoluminescence evolution in 300 KeV self-ion implanted and annealed silicon”, Materials Technology, Vol. 27, 130-132, 2012[5]杨宇*，等 “Ge/Si量子点溅射生长的研究进展”，2012 年功能材料科技与产业高层论坛，大会特邀报告[6]杨宇*，杨杰，靳映霞，王茺，“硅离子注入Si晶片发光研究”, 人工晶体材料，第41卷，270-274，2012.[7]杨宇*，王茺，李亮，杨杰，韦冬，“Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究”，第七届中国功能材料及其应用学术会议，35-40页，大会报告，2010[8]杨洲，王茺，王洪涛，胡伟达，杨宇*，“Ge组分对应变Si1-xGex沟道p-MOSFET电学特性影响”，物理学报，第 60卷，077102，2011[9]张学贵，王茺，鲁植全，杨杰，李亮，杨宇*，“离子束溅射自组装Ge/Si纳米薄膜生长的演变”，物理学报，第 60卷， 096101，2011[10]Yang Yu, Wang Cong，et al, Photoluminescence evolution in self-ion implanted and annealed silicon，Chinese Physics B, Vol. 18, 4906~4911 (2009)[11]杨宇，硅缺陷发光的研究概况，功能材料信息，高层论坛 Vol. 6, 12~14 (2009)[12]杨宇，王茺，硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况，材料导报，Vol. 23, 5~12 (2009)[13]杨宇，王茺等，缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法，2011，中国，ZL 2010 1 0181934.1[14]杨宇，王茺等，离子束溅射生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，2010，中国，ZL 2009 1 0163239