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孙钱单位咨询QQ、微信：2544906。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币（毛利率逾40%），打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。
（2）2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件）的电注入室温连续激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在NaturePhotonics10,595–599(2016)
（3）在Si衬底氮化物电力电子方面，孙钱研究员的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V，并且通过P型栅实现了增强型电力电子器件，将推进我国第三代半导体电力电子器件的产业化进程。
研究方向 Researchdirection1、宽禁带半导体光电子材料2、宽禁带半导体电子器件3、材料生长与测试表征 |
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发表于 2019-8-25 11:04:08
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