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考研面试增加印象分,实用新型专利包过申请发明专利申请并不难,代写全部材料,轻松申请!包过加急版发明专利申请,保研、考研面试加分利器!
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中山大学S6605001半导体物理(二)复试全套资料·2025年最新版考研复试资料 ...

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发表于 2020-1-30 14:11:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
发明专利申请,代写全部材料。
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参考范围
半导体能带理论及杂质能级;载流子统计分布、掺杂及载流子浓度计算方法及与温度、掺杂浓度的关系;载流子在半导体中的扩散运动、漂移运动及电阻率与杂质浓度和温度的关系;非平衡载流子的产生、复合、寿命连续性方程;霍尔效应。
适用院系
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