|
|
中科院新疆理化所研究生导师郭旗介绍如下咨询QQ、微信:2544906器件辐射效应、辐射损伤机理、模拟试验技术和空间辐射环境在轨测量技术研究;先后主持863等国家级科研项目十余项;获新疆维吾尔自治区科技进步二等奖2项,中国科学院和新疆维吾尔自治区科技进步三等奖各1 项;获国家发明专利授权一项;在国内外期刊发表论文数十篇。
主要研究领域咨询QQ、微信:2544906器件总剂量辐射效应模拟试验方法
光电成像器件、大规模集成电路辐射效应测试技术研究、损伤失效模式、辐射损伤表征方法、模拟试验技术和评估方法研究。
3. 空间辐射环境在轨测量技术研究
利用半导体器件、材料和电离辐射效应研制开发适用于空间环境在轨测量的辐射剂量监测技术和设备。
代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS
1. SiGe HBT与Si BJT的60Coγ射线总剂量辐照效应比较,牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩, 固体电子学研究与进展, 2007(27)3。2. 多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究,牛振红,郭旗,任迪远,高嵩,刘刚,戴康,固体电子学研究与进展,2008(28)1。3. 一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性,牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩,徐寿岩,孙彦铮,肖志斌,核技术,2007(30)1。4. SiGe HBT 60Coγ射线辐照效应及退火特性,牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩, 半导体学报,2006(27)9。5. 大规模存贮器电离辐射试验方法,匡治兵,郭旗,吾勤之,任迪远,陆妩, 微电子学,2005(35)5。6. 80C31单片机电路总剂量效应研究,匡治兵,郭旗,任迪远,李爱武,汪东,微电子学, 2005(35)6。7. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响,孙静,郭旗,张军,任迪远,陆妩,余学锋,文林,王改丽,郑玉展,微电子学,2009(39)1。
研究领域:物理学 |
|