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一、基本情况:朱慧,女,博士,讲师,硕士生导师。 2003年毕业于中国矿业大学(北京)材料科学与工程系,获得学士学位。同年赴英国剑桥大学学习,2004年毕业于材料与冶金系,获得硕士学位,2010年毕业于工程系,获得电子工程专业博士学位。2011年至今在北京工业大学电子信息与控制工程学院工作。
二、主要研究方向:铁电薄膜及铁电随机存储器,微电子器件可靠性物理。
三、科研项目:GaN HEMT中的残余应力以及应力对器件性能的影响,北京市自然科学基金项目负责人;星载高热流组件散热分析及可靠性影响分析,总装备部项目子项目参与人。
四、代表性科研论文: H. Zhu, and D. P. Chu, A study of capacitance voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, J. Phys.: Condens. Matt. 23, 495901 (2011).  H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, S. E. Rowley, and S. S. Saxena, Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, J. Appl. Phys. 105, 061609 (2009).  H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, I, Pane, J. E. Huber, E. Natori, Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integr. Ferroelectr. 95, 117-127 (2007).
五、联系方式:电话:010-67396955 E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn 地址:北京市朝阳区平乐园100号 北京工业大学电子信息与控制工程学院(邮编100124) |
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