导师信息#清华大学电子工程系研究生导师介绍#熊兵

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熊兵 博士，副教授
通讯地址：北京市海淀区清华大学电子工程系 100084办公室位置：清华大学罗姆楼4-309房间电话：+86-10-6279-8576-11;传真：+86-10-6279-8576-15电子邮箱：bxiong@mail.tsinghua.edu.cn
教育背景1993年9月-1998年7月，清华大学电子工程系物理电子与光电子技术专业本科；获工学学士学位；1998年7月-2001年12月，清华大学电子工程系电子科学与技术专业硕士研究生；研究半导体电吸收调制器啁啾特性及其光传输特性影响，获工学硕士学位；2001年12月-2005年1月，清华大学电子工程系电子科学与技术专业博士研究生；研究面向光通信应用的40 Gb/s高速电吸收调制器及其与半导体激光器或放大器的单片集成技术，获工学博士学位。
工作履历2009年12月至今：清华大学电子工程系 副教授讲授固体物理（2010-至今），现代分析技术（2015-）
2005年3月至2009年12月：清华大学电子工程系 讲师讲授固体物理（2007-2009）讲授现代分析技术（2006-2007）
学术兼职2008年起，任北京真空学会副理事长2009年，任The 15th Asia-Pacific Conference on Communications (APCC2009)（第15届亚太通讯大会）的Technical Program Committee（技术程序委员会）委员2010年，任”International Nano-Optoelectronics Workshop 2010”（国际纳米光电子学论坛2010）的” LOCAL ORGANIZING COMMITTEE”（本地组织委员会）委员2013年4月至11月 Asia Communications and Photonics Conference /International Conference on Information Photonics and Optical Communications (ACP/IPOC 2013) 程序委员会委员
研究领域高速半导体激光器高速光调制器高速、高功率光探测器
研究概况在博士研究生阶段初期，就作为主要成员参加了863课题“10 Gb/s DFB-LD/EAM集成器件的研制”工作，并作出实质性贡献。此后，作为核心骨干参加了“973”计划课题“DWDM高速集成光源中增益的周期性调制与控制”和“863”计划课题“DFB-LD/EAM集成光源芯片及模块”。
2005年3月留校参加工作以来，本人的主要研究兴趣集中于通信用半导体光电子芯片，包括材料设计、器件结构与真空薄膜工艺技术研究，研究领域包括半导体激光器、光调制器、高功率光探测器及其光子集成。作为负责人或第二负责人先后承担973课题“高速宽带集成光源中微波与光波相互作用机理研究”、重点基金子课题“高速、高线性EA调制器集成光源的研究”、国家专项2项（“高饱和光功率探测器”），作为核心骨干承担自然科学重点基金1项、国家专项课题1项，获得的主要成果包括10 Gb/s DFB-LD/EAM集成光源、带宽均超过40 GHz的DFB-LD/EAM、SOA/EAM集成光源器件、高功率光探测器、超灵敏质谱检漏技术等，已发表各类学术论文70余篇，其中SCI收录35篇。
奖励与荣誉2012年国家技术发明二等奖（排名3）、2011年中国电子学会电子信息科学技术一等奖（排名3）
学术成果SCI论文：[1] Jin Li, Bing Xiong, Changzheng Sun, Di Miao, and Yi Luo, "Analysis of frequency response of high power MUTC photodiodes based on photocurrent-dependent equivalent circuit model," Opt. Express 23, 21615-21623 (2015)[2] Li Jin, Xiong Bing, Sun Chang-Zheng, Luo Yi, Wang Jian, Hao Zhi-Biao, Han Yan-Jun, Wang Lai, Li Hong-Tao, “Bandwidth improvement of high power uni-traveling-carrier photodiodes by reducing the series resistance and capacitance”, Chinese Physics B, 24, 078503, 2015[3] Dong Liu, Changzheng Sun, Bing Xiong, Yi Luo, “Nonlinear dynamics in integrated coupled DFB lasers with ultra-short delay”, Optics express, 22, 5, 5614-5622, 2014[4] X Zhao, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Low drive voltage optical phase modulator with novel InGaAlAs/InAlAs multiple-quantum-barrier based nin heterostructure”, Optics express 21 (21), 24894-24903, 2013[5] T Shi, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Back-to-back UTC-PDs with high responsivity, high saturation current and wide bandwidth”, IEEE Photonics Technology Letters, 25 (2), 136-139, 2013[6] Dong Liu, Changzheng Sun, Bing Xiong, Yi Luo, “Suppression of chaos in integrated twin DFB lasers for millimeter-wave generation”, Optics express, 21(2), 2444-2451, 2013[7] Yue Ai-Wen, Wang Ren-Fan, Xiong Bing, Shi Jing, “Fabrication of a 10 Gb/s InGaAs/InP Avalanche Photodiode with an AlGaInAs/InP Distributed Bragg Reflector”, Chinese Physics Letters, 30, 038501, 2013[8] T Shi, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Study on the saturation characteristics of high-speed uni-traveling-carrier photodiodes based on field screening analysis”, Chinese Optics Letters 9 (8), 082302-082302, 2011[9] 袁贺，孙长征，徐建明，武庆，熊兵，罗毅, “基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作”，物理学报，第59卷、7239-7244页，2010[10] J Huang, C Sun, B Xiong, Y Luo， “Y-branch integrated dual wavelength laser diode for microwave generation by sideband injection locking”， 17 (23), 20727-20734，2009[11] B. Xiong, J. Xu, C. Sun, J. Wang, Y. Luo, “High Speed Electro-Absorption Modulators for Digital and Analog Optical Fiber Communications,” CHINA COMMUNICATIONS, vol.6, no.3, pp. 110-114, 2009.(in English)[12] C Sun, B Xiong, J Wang, P Cai, J Xu, Q Zhou, Y Luo, “Influence of residual facet reflection on the eye-diagram performance of high-speed electroabsorption modulated lasers”, Journal of Lightwave Technology, 27 (15), 2970-2976, 2009.[13] C. Z. Sun, B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, J. M. Xu, J. Huang, H. Yuan, Q. W. Zhou, and Y. Luo, "Fabrication and packaging of 40-Gb/s AlGaInAs multiple-quantum-well electroabsorption modulated lasers based on identical epitaxial layer scheme," Journal of Lightwave Technology, vol. 26, pp. 1464-1471, 2008.[14] B. Xiong, C. Sun, and Y. LUO, "Optimization of Multiple Quantum Well Electroabsorption Modulators Based on Transmission Performance Simulation," Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers, Brief Communications, Review Papers, vol. 46, no. 6A, pp. 3420-3423, 2007.[15] Y. Luo, B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, and C. Z. Sun, "40GHz AlGaInAs multiple-quantum-well integrated electroabsorption modulator/distributed feedback laser based on identical epitaxial layer scheme," Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, vol. 45, pp. L1071-L1073, 2006.[16] J. Wang, B. Xiong, P. F. Cai, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "Novel planar electrode structure for high-speed (> 40 GHz) electroabsorption modulators," Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, vol. 45, no. 42-45, pp. L1209-L1211, 2006.[17] B. Xiong, J. B. Tian, J. Wang, P. F. Cai, C. Z. Sun, and Y. Luo, "High-speed coplanar waveguide based submount for 40 Gbit/s electroabsorption modulator," International Journal of Infrared and Millimeter Waves, vol. 26, no. 10, pp. 1491-1500, 2005.[18] B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "Novel low-cost wideband Si-based submount for 40 Gb/s optoelectronic devices," Microwave And Optical Technology Letters, vol. 45, no. 1, pp. 90-93, 2005.[19] B. Xiong, J. Wang, L. J. Zhang, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "High-speed (> 40 GHz) integrated electroabsorption modulator based on identical epitaxial layer approach," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 17, no. 2, pp. 327-329, 2005.